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차세대 인메모리 컴퓨팅이 가능한 화합물반도체 신소재 개발
과학기술정보통신부는 8.29.(목) 연세대학교 심우영 교수 연구팀은 기존의 전이금속 기반의 멤트랜지스터에 비하여 저전력으로 구동이 가능한 새로운 소재(III-V족 원소 기반 반도체)의 멤트랜지스터를 개발했다고 밝혔다.
- 연구팀은 고속 계산법을 활용하여 주기율표에서 이온 이동이 가능한 층상형 구조를 가진 물질 후보군을 찾았으며, III-V족 기반 40개의 후보 물질을 도출했음.
- 동시에, 반도체 특성도 함께 확인하여 새로운 III-V족 화합물 반도체 소재가 메모리와 트랜지스터로 모두 활용될 수 있으며, 이를 통해 시냅스 작동이 저전력으로 구현될 수 있음을 증명하였음.
- 심우영 교수는 “멤트랜지스터 소재 개발의 새로운 사고틀(패러다임)을 제시하고 이를 실험적 구현한 것에 큰 의미가 있다”라며 “기존 실리콘 기술과 호환되면서 저전력이 가능한 멤트랜지스터에 대한 수요를 새로운 III-V족 멤트랜지스터로 충족 가능할 것으로 기대된다”고 설명했음.
<게재> 국제 학술지 「네이처 머터리얼스(Nature Materials)」 8월 28일(현지시간 8.28.(수) 18시, GMT)
- 연구팀은 고속 계산법을 활용하여 주기율표에서 이온 이동이 가능한 층상형 구조를 가진 물질 후보군을 찾았으며, III-V족 기반 40개의 후보 물질을 도출했음.
- 동시에, 반도체 특성도 함께 확인하여 새로운 III-V족 화합물 반도체 소재가 메모리와 트랜지스터로 모두 활용될 수 있으며, 이를 통해 시냅스 작동이 저전력으로 구현될 수 있음을 증명하였음.
- 심우영 교수는 “멤트랜지스터 소재 개발의 새로운 사고틀(패러다임)을 제시하고 이를 실험적 구현한 것에 큰 의미가 있다”라며 “기존 실리콘 기술과 호환되면서 저전력이 가능한 멤트랜지스터에 대한 수요를 새로운 III-V족 멤트랜지스터로 충족 가능할 것으로 기대된다”고 설명했음.
<게재> 국제 학술지 「네이처 머터리얼스(Nature Materials)」 8월 28일(현지시간 8.28.(수) 18시, GMT)
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