과학기술정보통신부는 12.03.(수) 이달의 과학기술인상 12월 수상자로 서울대 이관형 교수를 선정했다고 밝혔다.
- 과기정통부와 연구재단은 이 교수가 대면적 단결정 2차원 반도체를 성장시키는 ‘하이포택시’ 공정을 개발해 차세대 AI 반도체 발전 기반을 마련한 점을 높이 평가했음. 해당 기술은 비정질 기판에서도 고품질 TMD를 제조할 수 있어 기존 공정의 한계를 극복한 혁신적 성과임.
- 이 교수 연구팀은 4인치 웨이퍼 전면에서 단결정 MoS₂ 박막 제조에 성공했고, 금속 박막 두께 조절만으로 TMD 층수 정밀 제어와 높은 전기적 성능도 확보했음. 또한 WS₂, WSe₂ 등 다양한 2차원 반도체 물질로 확장 가능함을 검증하여 산업적 활용성을 입증했음.
- 본 연구는 세계적 학술지 *Nature*에 게재될 만큼 성과를 인정받았으며, 차세대 AI 반도체 대량생산과 3차원 집적 기술 고도화에 기여할 것으로 기대됨.
- 과기정통부는 앞으로도 과학기술인이 첨단 분야 연구에 전념할 수 있도록 연구 생태계를 강화하고 우수 연구자에 대한 보상과 지원을 확대해 나갈 계획임.
<참고>
1. ’25년 12월 수상자(이관형 교수) 주요 연구성과 설명
2. ’25년 12월 수상자(이관형 교수) 이력
3. ’25년 12월 수상자(이관형 교수) 인터뷰