정책자료
반도체가 자라는 ‘시작점’까지 설계… 고집적·저전력 AI 반도체 구현의 새 길
과학기술정보통신부는 ’26.10.8.(목) 국내 연구진이 2차원 반도체 결정의 성장 위치를 정밀하게 제어하는 기술의 연구 성과를 「네이처(Nature)」에 게재하였다.
- 연구팀은 산화물 장벽에서 방출되는 화학 성분을 이용해 2차원 반도체인 이황화몰리브덴(MoS₂) 결정의 단일 중심 성장에 성공함.
- 성장 영역 주변의 산화물에서 유입되는 에칭 플럭스가 가장자리에서 핵생성을 억제하고, 중앙에서만 하나의 결정핵이 자라도록 유도하여 400개 실험 패턴 중 99% 이상에서 단일 중심 단결정 생성에 성공함.
- 이로써 반도체 소재 성장에서 영역뿐 아니라 그 내부의 시작점까지 결정론적으로 설계할 수 있게 되어, 차세대 적층 공정과 고집적·저전력 AI 반도체 구현의 발전 기반이 마련됨.
- 과학기술정보통신부는 해당 기술이 향후 고품질 반도체 소재의 맞춤형 제조와 미래 산업 핵심 기술로 발전할 수 있도록 적극 지원할 계획임.
- 연구팀은 산화물 장벽에서 방출되는 화학 성분을 이용해 2차원 반도체인 이황화몰리브덴(MoS₂) 결정의 단일 중심 성장에 성공함.
- 성장 영역 주변의 산화물에서 유입되는 에칭 플럭스가 가장자리에서 핵생성을 억제하고, 중앙에서만 하나의 결정핵이 자라도록 유도하여 400개 실험 패턴 중 99% 이상에서 단일 중심 단결정 생성에 성공함.
- 이로써 반도체 소재 성장에서 영역뿐 아니라 그 내부의 시작점까지 결정론적으로 설계할 수 있게 되어, 차세대 적층 공정과 고집적·저전력 AI 반도체 구현의 발전 기반이 마련됨.
- 과학기술정보통신부는 해당 기술이 향후 고품질 반도체 소재의 맞춤형 제조와 미래 산업 핵심 기술로 발전할 수 있도록 적극 지원할 계획임.
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